乾照光电和武汉大学研究人员表示，研究人员还利用KOH湿法化学蚀刻技术对VLED发射外表进行纹理化处理。4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN垂直LEDVLED使用具有SiO2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此外，通过KOH湿法刻蚀对VLED发射外表进行外表纹理处置，提高光提取效率。
堆积的金属化方案会在湿润的环境中弯曲并分层，这是VLED可靠性的主要关注的问题。这项发表在光学快报》上的研究中，研究人员证明，通过在Ag/TiW薄膜周围堆积Pt/Ti维护层来维护界面免受环境湿度的影响，可以提高金属化可靠性。
金属触点吸收的光是LED中光损耗源的一种来源。然而，由于半导体层的非理想导电性，大多数电流拥挤在电极附近，导致在电极焊盘周围的发射局部化。
研究人员标明，通过在p电极下插入SiO2电流阻挡层可以大大缓解“电流拥挤”仿真结果标明，采用SiO2电流阻挡层时，电流分布更加均匀。
以提高光提取效率。使用KOH溶液湿法刻蚀后，高度集成的外表纹理包括周期性的半球形凹痕和六边形金字塔。时域有限差分(FDTD模拟标明，这种外表形态不只减少了菲涅耳反射，而且使光以较宽的分布向外散射，从而提高了光提取效率。
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